5月27日，长鑫科技科创板IPO顺利过会，将在本轮存储超级周期中闪亮登陆资本市场。
从成立到上市十年，长鑫科技已经成长为国内最大、全球第四的DRAM芯片大厂。在人工智能爆发、全球存储芯片荒的当下，长鑫科技已经是中国存储芯片的顶梁柱，补位算力产业链。
长鑫科技的快速成长壮大背后的关键人物是公司创始人朱一明。这位毕业于清华大学物理系，赴美留学后进入存储芯片领域，在中国存储芯片处于空白时，带着自己的技术回国创业，加入了中国半导体产业轰轰烈烈的发展征程中。
有长鑫员工评价称，“朱一明低调、务实，做事风格比较学院派，经常穿着一身长鑫科技的工服出现在合肥厂区，行色匆匆，就像一位普通的工程师那样。”
起步
朱一明，江苏盐城人，就读于1989级清华大学物理系。他最初的人生目标是成为一名科学家，去发现自然界未知的运行规律。
但20世纪90年代初的北京，中关村的创业氛围很浓，很多公司如雨后春笋般出现，加上清华浓烈的工科氛围影响，促使朱一明改变了原来的人生目标。
清华大学在一篇文章介绍朱一明，称其读书期间，就参与多家公司的项目开发，这使他逐步认识到集成电路才是信息革命的底层核心技术。于是，从清华硕士毕业后，他决定赴美进一步深造，找寻从事集成电路行业的入口。
朱一明出国留学后换了专业进入了半导体领域，他就读于纽约州立大学石溪分校，专业为电子工程系，并取得硕士学位。
简历显示：留学期间，朱一明在iPolicy Networks公司从事研发网络处理器搜索引擎芯片组的工作，并于2001年加入Monolithic System Technologies 公司，从事存储器芯片开发工作，作为项目主管和主要设计者，他完成了多种基于逻辑工艺的存储器研发。
2005年春节过后，朱一明带着最先进的静态存储器技术回国，在盈富泰克投资公司和清华科技园的帮助下创立芯技佳易（兆易创新前身），任董事长兼总经理，总部设在清华科技园。
2021年4月12日，清华大学110周年校庆到来之际，朱一明与其他五位校友一起捐赠母校，设立“兆易创新基础学科建设基金”。
彼时，兆易创新用十余年的时间，将一家一张桌子两个人的小公司，发展成芯片行业领军企业。兆易创新在NOR Flash（代码型闪存芯片）领域已经成为全球三大供应商之一，同时也在着手积极布局2D NAND和DRAM（动态随机存取存储器）。
谈到放弃海外优渥的条件回国创业，朱一明表示：“创业对我来讲就是无知者无畏，如果工程师很清楚创业对整个生活带来的冲击，他可能不敢创业。”
他接着说，“人们都会选择适合自己生存的环境发展，我认为回到中国才能有更好的发展。中国不仅有市场，产业链开始发展，更能在价值体系中实现自身价值，并且为国内IC产业做出贡献。”
中国拥有庞大的半导体市场，但我们“缺芯少魂”，存储芯片更是空白，没有本土的存储芯片设计公司。朱一明表示，“我们不能‘无芯’，无芯就是无魂。不掌握主要核心技术，国家的强盛只是建立在沙滩上。”
野心
在整个计算世界里，存储的重要性是不言而喻的。但同时，存储芯片门槛又是极高的，是资金、技术、人才等综合实力博弈，因此全球只有三星、海力士、美光在做存储芯片，其他实力较弱的厂商都陆续被市场淘汰了。
朱一明选择进入衰退期的NOR Flash小众细分市场切入存储领域无疑是极为聪明的，避开了存储巨头的绞杀，并且通过自己的技术创新赢得了客户。
兆易创新凭借自己的技术实力，匹配上国内强大的市场需求，在存储器发展势如破竹，迅速填补了中国多项空白。公司产品NOR Flash、NAND Flash（数据型闪存芯片）及MCU，广泛用于手持移动终端、消费类电子产品、个人电脑及周边、网络、电信设备、医疗设备、办公设备、汽车电子及工业控制设备等各个领域。
“如果把计算机比喻为皇冠，CPU是皇冠上的明珠，存储器就是皇冠的底座，底座自然要更多的黄金珠宝。存储器的市场是IC产业里最大的，任何一个新工艺诞生，它要做的第一个东西都是存储器。”朱一明这样阐述自己选择在存储领域创业的另一个重要缘由。
朱一明进一步解释说，“随着半导体工艺走向深亚微米时代，各类存储器在集成电路中所占的比重逐渐增大，谁领导了存储器技术，谁就能称雄整个集成电路产业。由于存储器架构设计和制造工艺的高难度，长期以来，该领域一直被三星等大牌国外厂商所占据，中国长期以来一直没有本土的设计公司，使得我国各方面的发展受制于人，极大地影响了发展速度”。
因此，一开始创业时，朱一明就确立其长远目标是打造中国版的“三星电子”。
换向
对标韩国三星电子，仅仅存储芯片设计公司兆易创新是不够的，但有了兆易创新的成功作为基础，朱一明打造存储芯片晶圆大厂的想法提上了议事日程。
2016年兆易创新在上交所主板上市，募资5.82亿元。根据兆易创新当时的招股书，半导体协会数据显示，2012年兆易创新是中国大陆地区最大的代码型闪存芯片本土设计企业，也是最大的串行NOR Flash设计企业。
同一年，朱一明与合肥市政府合作，创办了主攻DRAM（动态随机存取存储器）的长鑫科技，进入技术门槛高、投入巨大，是芯片领域最坚固的堡垒。
2018年7月，朱一明做出了让资本市场哗然的决定：辞去兆易创新总经理职务，全职出任长鑫科技董事长兼CEO，并立下军令状——不盈利，不领薪。刚创立不久的长鑫科技更需要朱一明全心投入。
一年后，长鑫科技完成了关键突破。2019年9月，长鑫科技推出自主设计生产的8Gb DDR4产品，实现了中国大陆DRAM产业“从零到一”的突破。
从公开信息看，长鑫科技的技术突破除了自身技术积累外，也有来自存储厂商奇梦达（Qimonda）的大量专利助力。
2019年12月，长鑫存储和WiLAN Inc合资子公司Polaris Innovations Limited达成专利许可协议和专利采购协议。依据专利许可协议，长鑫存储从Polaris获得大量奇梦达的DRAM技术专利的实施许可。
当时朱一明对媒体表示，协议标志着，在完善知识产权组合、进一步强化技术战略和保障DRAM业务运营方面，长鑫存储采取了新举措。长鑫存储将继续通过自主研发以及与WiLAN等国际伙伴的合作，不断增加在半导体核心技术和高价值知识产权方面的积累。
长鑫科技DRAM突破让中国企业有了第二选择。据长鑫科技招股书，长鑫科技与阿里云、字节跳动、腾讯、联想、小米、传音、荣耀、OPPO、vivo等行业核心客户开展了深度合作。
长鑫科技表示，公司完成了从第一代工艺技术平台到第四代工艺技术平台的量产，以及DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X的产品覆盖和迭代，目前公司核心产品及工艺技术已达到国际先进水平。可以有效满足服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等市场需求。
成果
长鑫科技从创立到上市，又一个十年，迎来了几十年未见的存储超级周期。
随着全球加大对人工智能基础设施的投入，存储产业进入了超级周期，三星、海力士、美光等迎来了利润的倍数级增长。与这些同业相比，长鑫科技的业绩并不逊色。
招股书显示，今年一季度，长鑫科技实现营业收入508亿元，同比增长719.13%；实现净利润330.12亿元，同比增长1268.45%；实现归属于母公司所有者的净利润247.62亿元，同比增长1688.30%。
长鑫科技预计今年上半年公司将实现营业收入1100亿元至1200亿元，同比增长612.53%至677.31%；实现归母净利润500亿元至570亿元，同比增长2244.03%至2544.19%。
这次盈利把公司多年的亏损填平，也为长鑫科技带来了更多现金流，为接下来的持续发展打下了良好的基础。
在长鑫科技的招股书中，也看到了朱一明的格局和长期主义的坚持。
公告称，朱一明秉持长期主义原则，为进一步激发公司员工的科技创新和创业热情，推动长鑫科技高质量发展，自愿将其持有的合肥集鑫肆拾壹号企业管理合伙企业（有限合伙）之合伙份额中的50%对应约7.68亿股，在长鑫科技上市满36个月后的10个自然年度内，全部分配给长鑫科技及其并表子企业的在职员工，用于员工激励，激励对象不包含朱一明本人。
若按长鑫科技1.5万亿市值估算，这部分激励股份的市值约162亿元，若按2万亿市值计算，激励股份市值超200亿元。
根据可查信息，这笔员工激励的市值金额，是A股历史最大个人股权激励。
与此同时，朱一明承诺了超长股份锁定，在长鑫科技上市后的第一个十年，不转让所持股份，上市满10年后的第二个十年里，每年最多减持上一年末剩余锁定股份总数的20%。
从归国到成功创立两家上市公司，朱一明21年的历程也是中国一代芯片人进取突围的缩影。
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